酸化物半導体技術

酸化物半導体

有機EL(OLED)ディスプレイはその高い表示品位から高い注目を集めています。 OLEDは、各画素に形成した素子自身が発光する自発光デバイスです。 このためにOLEDディスプレイには薄型軽量で高速応答、コントラスト比が高い、といったすぐれた特長を備えています。 このOLEDディスプレイの素晴らしい性能を十分に発揮するためには、駆動する回路を構成するTFT(薄膜トランジスタ)に高い電流を流す必要があります。液晶ディスプレイに広く用いられるアモルファスシリコン(a-Si)はこの電流を流す性能 (これを移動度と呼びます) が低くOLED駆動には不向きです。
一方、高い移動度を示す材料に低温多結晶シリコン(LTPS)がありますが、大面積で均一な多結晶を形成することが難しく、製造コストも高いという課題があります。
我々の注力する酸化物半導体(TAOS*)は、OLEDを駆動するのに十分な移動度を持ち、かつ大面積に均一に膜を成膜しやすいという特長を備えた材料です。 

JOLEDはこのTAOSの形成プロセス技術に注力するとともに、新たなTFT作製プロセスも開発しております。

TFT技術の進化

TFTの電極部分を独自の金属反応を用いて低抵抗化する技術を用い、セルフアライン型トップゲート構造を採用したTAOS TFTを開発しております。 この技術の採用により、TFTの高い安定性を実現しました。 このTFT技術に独自の高い補正回路技術を組みあわせることにより、中型以上のサイズでOLEDの性能を十分に発揮し、高精細かつ低価格なディスプレイの実現を目指します。


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